電(diàn)池內(nèi)部結構
異質結是(shì)由兩種不(bù)同類型的(de)半導體(tǐ)相(xiàng)₽β₽接觸
所形成的(de)界面區(qū)域,全稱為(wèi)本征薄膜異質
結電(diàn)池,具備雙面電(diàn)池結構。
異質結電(diàn)池相(xiàng)較于傳統PERC技(jì)術(s&∞πhù),在效率與性能(néng)上(shàng)均有(yǒu)突破性提升。此外(wε✔λ₽ài),相(xiàng)比于其他(tā)太陽能(néng)電(diàn)池片γ↑技(jì)術(shù),中建材浚鑫的(de)異質結電(diàn)池制(α​±≥zhì)造僅需四個(gè)低(dī)溫工(gōng)藝步驟,生(shēng)産效率更高(gāo‍★),損耗更小(xiǎo)。
  • 清洗制(zhì)絨
  • 非晶矽/微(wēi)晶矽
    薄膜沉積
  • TCO鍍膜
  • 金(jīn)屬化(huà)工(gōng)藝
  • 11.25 W
    量産最高(gāo)功率
  • 26.5 %
    量産最高(gāo)效率
  • -0.26 %/℃
    領先溫度系數(shù)
  • 110
    超薄矽片厚度
異質結電(diàn)池參數(shù)
  • 矽片:N型矽片

  • 厚度:110±20㎛

  • 尺寸:210 x 105±0.35mm

  • 栅線:0BB/20BB

産品規格書(shū)
異質結實證數(shù)據
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